SJ-MOSFET擁有較小的結(jié)電容,低導(dǎo)通內(nèi)阻,所以可以適應(yīng)更高速的開(kāi)關(guān)電源,提高電 源效率,降低系統(tǒng)成本,實(shí)現(xiàn)電源小型化。
SJ-MOSFET產(chǎn)品的高溫漏電(IDSS)特性,主要與產(chǎn)品工藝類(lèi)型有關(guān),受產(chǎn)品規(guī)格、芯 片大小、工藝代數(shù)的影響相對(duì)較小。
超致半導(dǎo)體的SJ-MOSFET產(chǎn)品,與國(guó)際主流多層外延工藝產(chǎn)品的高溫漏電特性基本一致, 而且明顯低于采用Deep-Trench工藝的產(chǎn)品。
高溫漏電特性的良好表現(xiàn),有助于超致半導(dǎo)體的SJ-MOSFET產(chǎn)品在長(zhǎng)時(shí)間工作條件下, 保證可靠性和穩(wěn)定性。
超致SJ-MOSFET擁有比較全的型號(hào),電壓等級(jí)覆蓋500V,600V,650V,700V,800V,900V;
電流等級(jí)覆蓋2A,5A,7A,10A,11A,15A,20A,30A,47A等全系列產(chǎn)品。
圖片僅供參考 業(yè)務(wù)咨詢 13352985885 張?zhí)斐?/span>
超致SJ-MOSFET 的第一代產(chǎn)品,性能和可靠性接近英飛凌C3,動(dòng)態(tài)特性接近C6,能
在線客服
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00電話
00852-27935511
微信
銷(xiāo)售部微信
關(guān)注微信公眾號(hào)
華海二維碼名片
郵箱
sensestime@163.com